品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 17 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 250 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V

功率 - 最大值： 130 W

频率 - 跃迁： 30MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3P

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 17 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 250 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V

功率 - 最大值： 130 W

频率 - 跃迁： 30MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3P

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 17 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 250 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V

功率 - 最大值： 130 W

频率 - 跃迁： 30MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3P

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 17 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 250 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V

功率 - 最大值： 130 W

频率 - 跃迁： 30MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3P

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-3P-3

系列： 2SA1962

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： Through Hole

晶体管极性： PNP

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： - 250 V

集电极—基极电压 VCBO： - 250 V

发射极 - 基极电压 VEBO： - 5 V

集电极—射极饱和电压： - 400 mV

最大直流电集电极电流： - 17 A

Pd-功率耗散： 130 W

增益带宽产品fT： 30 MHz

商标： onsemi / Fairchild

集电极连续电流： 15 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 80 at 1 A, 5 V

高度： 19.9 mm

长度： 15.6 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 4.8 mm

单位重量： 6.400 g

温度： - 50 C~+ 150 C