Packaging： Bulk

Package / Case： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 400mV @ 200mA, 2A

Current - Collector Cutoff (Max)： 1µA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 140 @ 500mA, 5V

Frequency - Transition： 180MHz

Supplier Device Package： TP

Current - Collector (Ic) (Max)： 4 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 100 V

Power - Max： 1 W

品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： TO-251-3

系列： 2SD1816

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： Through Hole

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 100 V

集电极—基极电压 VCBO： 120 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 6 V

集电极—射极饱和电压： 150 mV

最大直流电集电极电流： 4 A

Pd-功率耗散： 1 W

增益带宽产品fT： 180 MHz

商标： onsemi

集电极连续电流： 4 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 70

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

单位重量： 4 g

温度： -~+ 150 C