品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 0.5V 100mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 100mA，2V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

供应商器件封装： TP

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 0.5V 100mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 100mA，2V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

供应商器件封装： TP

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 0.5V 100mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 100mA，2V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

供应商器件封装： TP

温度： 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 0.5V @ 100mA, 2A

Current - Collector Cutoff (Max)： 1µA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 200 @ 100mA, 2V

Frequency - Transition： 150MHz

Supplier Device Package： TP

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 5 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50 V

Power - Max： 1 W

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 0.5V @ 100mA, 2A

Current - Collector Cutoff (Max)： 1µA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 200 @ 100mA, 2V

Frequency - Transition： 150MHz

Supplier Device Package： TP

Current - Collector (Ic) (Max)： 5 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50 V

Power - Max： 1 W

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 0.5V @ 100mA, 2A

Current - Collector Cutoff (Max)： 1µA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 200 @ 100mA, 2V

Frequency - Transition： 150MHz

Supplier Device Package： TP

Current - Collector (Ic) (Max)： 5 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50 V

Power - Max： 1 W

品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： TO-251-3

系列： 2SD1802

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： Through Hole

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 50 V

集电极—基极电压 VCBO： 60 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 6 V

集电极—射极饱和电压： 190 mV

最大直流电集电极电流： 3 A

Pd-功率耗散： 1 W

增益带宽产品fT： 150 MHz

商标： onsemi

集电极连续电流： 5 A

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

单位重量： 4 g

温度： -~+ 150 C