品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 10 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 100mA，10A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 5A，3V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 10 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 100mA，10A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 5A，3V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220

温度： -65°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： NPN - Darlington

Operating Temperature： -65°C # 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 3V @ 100mA, 10A

Current - Collector Cutoff (Max)： 1mA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 1000 @ 5A, 3V

Frequency - Transition： -

Supplier Device Package： TO-220

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 10 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 80 V

Power - Max： 2 W

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 10 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 100mA，10A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 5A，3V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 10 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 100mA，10A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 5A，3V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 10 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 100mA，10A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 5A，3V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220

温度： -65°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： NPN - Darlington

Operating Temperature： -65°C # 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 3V @ 100mA, 10A

Current - Collector Cutoff (Max)： 1mA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 1000 @ 5A, 3V

Frequency - Transition： -

Supplier Device Package： TO-220

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 10 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 80 V

Power - Max： 2 W

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220-3

系列： 2N6388

产品种类： 达林顿晶体管

配置： Single

晶体管极性： NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO： 80 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 5 V

集电极—基极电压 VCBO： 80 V

最大直流电集电极电流： 10 A

最大集电极截止电流： 1000 uA

Pd-功率耗散： 65 W

安装风格： Through Hole

商标： onsemi

集电极连续电流： 10 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 1000

直流电流增益 hFE 最大值： 20000

高度： 15.75 mm

长度： 10.53 mm

产品类型： Darlington Transistors

宽度： 4.83 mm

单位重量： 6 g

温度： - 65 C~+ 150 C