品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： -

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： -

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

品牌： onsemi

包装： 托盘

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 25 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.8V 2.5A，25A

电流 - 集电极截止（最大值）： 50µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10A，2V

功率 - 最大值： 200 W

频率 - 跃迁： 40MHz

工作温度： -65°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-204AA，TO-3

供应商器件封装： TO-204（TO-3）

温度： -65°C # 200°C（TJ）

品牌： NTE Electronics, Inc

包装： Bag

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 25 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.8V 2.5A, 25A

电流 - 集电极截止（最大值）： 50µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10A, 2V

功率 - 最大值： 200 W

频率 - 跃迁： 40MHz

工作温度： -65°C # 200°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-204AA, TO-3

供应商器件封装： TO-204 (TO-3)

温度： -65°C # 200°C (TJ)

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-204AA, TO-3

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -65°C # 200°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 1.8V @ 2.5A, 25A

Current - Collector Cutoff (Max)： 50µA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 50 @ 500mA, 2V

Frequency - Transition： 40MHz

Supplier Device Package： TO-3

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 25 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 100 V

Power - Max： 200 W

品牌： NTE Electronics, Inc

包装： Bag

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 25 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.8V 2.5A, 25A

电流 - 集电极截止（最大值）： 50µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10A, 2V

功率 - 最大值： 200 W

频率 - 跃迁： 40MHz

工作温度： -65°C # 200°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-204AA, TO-3

供应商器件封装： TO-204 (TO-3)

温度： -65°C # 200°C (TJ)

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： -

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

品牌： onsemi

包装： 托盘

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 25 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.8V 2.5A，25A

电流 - 集电极截止（最大值）： 50µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10A，2V

功率 - 最大值： 200 W

频率 - 跃迁： 40MHz

工作温度： -65°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-204AA，TO-3

供应商器件封装： TO-204（TO-3）

温度： -65°C # 200°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-204AA, TO-3

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -65°C # 200°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 1.8V @ 2.5A, 25A

Current - Collector Cutoff (Max)： 50µA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 50 @ 500mA, 2V

Frequency - Transition： 40MHz

Supplier Device Package： TO-3

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 25 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 100 V

Power - Max： 200 W