品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 100mA，2V

功率 - 最大值： 500 mW

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： PCP

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 100mA，2V

功率 - 最大值： 500 mW

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： PCP

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 100mA，2V

功率 - 最大值： 500 mW

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： PCP

温度： 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-243AA

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 500mV @ 50mA, 500mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 100 @ 100mA, 2V

Frequency - Transition： 150MHz

Supplier Device Package： PCP

Current - Collector (Ic) (Max)： 1 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50 V

Power - Max： 500 mW

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： *

系列： 2SB1122

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： PNP

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： - 50 V

集电极—基极电压 VCBO： - 60 V

发射极 - 基极电压 VEBO： - 5 V

集电极—射极饱和电压： - 180 mV

最大直流电集电极电流： - 1 A

Pd-功率耗散： 1.3 W

增益带宽产品fT： 150 MHz

商标： onsemi

集电极连续电流： - 1 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 140

直流电流增益 hFE 最大值： 560

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

单位重量： 51.200 mg

温度： -~+ 150 C