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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2N5680_未分类
2N5680
授权代理品牌

2N5680 MULTICOMP PRO

未分类

+1:

¥15.153989

+10:

¥13.672542

+25:

¥11.902628

+100:

¥11.256981

+250:

¥10.197066

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
2N5680_未分类
2N5680

2N5680 STMICROELECTRONICS

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2N5680_双极性晶体管
2N5680
授权代理品牌
+100:

¥135.271316

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 120 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 40 250mA,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: -

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-205AD,TO-39-3 金属罐

供应商器件封装: TO-39(TO-205AD)

温度: -65°C # 200°C(TJ)

2N5680_双极性晶体管
授权代理品牌

PNP 120V 1A 10W /2N5682 COMPLMT

双极性晶体管

+100:

¥135.271316

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 120 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 40 250mA,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: -

工作温度: -

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-205AD,TO-39-3 金属罐

供应商器件封装: TO-39

温度: -

2N5680_未分类
2N5680
授权代理品牌

BI-POLAR SILICON TRANSISTOR PN

未分类

+100:

¥135.271316

库存: 1000 +

国内:1~2 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Mounting Type: Through Hole

Transistor Type: PNP

Operating Temperature: -

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: -

Current - Collector Cutoff (Max): -

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: -

Frequency - Transition: -

Supplier Device Package: TO-39

Part Status: Active

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2N5680_双极性晶体管
+100:

¥330.909482

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 120 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 40 250mA,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: -

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-205AD,TO-39-3 金属罐

供应商器件封装: TO-39(TO-205AD)

温度: -65°C # 200°C(TJ)

2N5680_双极性晶体管
授权代理品牌
+200:

¥17.686753

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 120 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 40 250mA,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: -

工作温度: -

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-205AD,TO-39-3 金属罐

供应商器件封装: TO-39

温度: -

2N5680_未分类
2N5680
授权代理品牌
+20:

¥6.78655

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Mounting Type: Through Hole

Transistor Type: PNP

Operating Temperature: -

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: -

Current - Collector Cutoff (Max): -

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: -

Frequency - Transition: -

Supplier Device Package: TO-39

Part Status: Active

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2N5680_未分类
2N5680
授权代理品牌

TRANS PNP 120V 1A TO39

未分类

+1:

¥386.381413

+100:

¥358.687981

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 120 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 40 250mA,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: -

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-205AD,TO-39-3 金属罐

供应商器件封装: TO-39(TO-205AD)

温度: -65°C # 200°C(TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2N5680_未分类
2N5680
授权代理品牌

Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

未分类

+100:

¥271.566228

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

2N5680参数规格

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 120 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值): 10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 40 250mA,2V
功率 - 最大值: 1 W
频率 - 跃迁: -
工作温度: -65°C # 200°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-205AD,TO-39-3 金属罐
供应商器件封装: TO-39(TO-205AD)
温度: -65°C # 200°C(TJ)