2SK209-GR(TE85L,F)厂家价格_数据手册

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	2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+5：￥1.038918 +20：￥0.942723 +100：￥0.846528 +500：￥0.750321 +1000：￥0.70543	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 125°C（TA）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 125°C（TA）

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	2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+20：￥2.078352 +100：￥1.524672 +300：￥1.243008 +500：￥1.063008 +800：￥0.951408	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 125°C（TA）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 125°C（TA）

自营现货库存

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	2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+5：￥1.073386 +50：￥0.845115 +150：￥0.733657 +500：￥0.634218 +3000：￥0.606901	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 125°C（TA）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 125°C（TA）

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	2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+1：￥0.806344 +10：￥0.782628	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 125°C（TA）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 125°C（TA）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+3000：￥0.713097 +6000：￥0.701212 +9000：￥0.689327 +12000：￥0.677442	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 125°C（TA）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 125°C（TA）
2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+3000：￥0.641787	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 125°C（TA）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 125°C（TA）
2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+1：￥1.23301 +50：￥0.939883 +1500：￥0.847829 +3000：￥0.76485 +18000：￥0.751993	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 125°C（TA）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 125°C（TA）

自营国内现货

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	2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+3000：￥1.255697 +6000：￥1.174754	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 125°C（TA）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 125°C（TA）

Digi-Key

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	2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+3000：￥2.16984 +6000：￥2.02997	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 125°C（TA）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 125°C（TA）
	2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+1：￥6.17801 +10：￥5.251309 +100：￥3.91933 +500：￥3.079861 +1000：￥2.379893	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 频率： 1kHz 安装类型： - 电压-额定： - 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SC-59

2SK209-GR(TE85L,F)参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	13 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 125°C（TA）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SC-59
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 125°C（TA）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+3000：￥0.713097 +6000：￥0.701212 +9000：￥0.689327 +12000：￥0.677442	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 125°C（TA）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 125°C（TA）
2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+3000：￥0.641787	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 125°C（TA）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 125°C（TA）
2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+1：￥1.23301 +50：￥0.939883 +1500：￥0.847829 +3000：￥0.76485 +18000：￥0.751993	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 125°C（TA）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 125°C（TA）