2SK209-Y(TE85L,F)厂家价格_数据手册

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	2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+20：￥2.078352 +100：￥1.524672 +300：￥1.243008 +500：￥1.063008 +800：￥0.951408	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 10 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14mA 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 125°C（TJ）

自营现货库存

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	2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册	+1：￥1.363787 +10：￥1.168263 +30：￥1.084452 +100：￥1.000641 +500：￥0.944731	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 10 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14mA 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 125°C（TJ）

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	2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+1：￥1.047134	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 10 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14mA 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 125°C（TJ）

自营国内现货

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	2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+3000：￥1.141576 +6000：￥1.0311 +15000：￥0.95745 +30000：￥0.935355 +75000：￥0.905895	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 10 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14mA 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 125°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+3000：￥1.972639 +6000：￥1.781738 +15000：￥1.654471 +30000：￥1.616292 +75000：￥1.565384	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 10 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14mA 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 125°C（TJ）
2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+1：￥4.633508 +10：￥3.974521 +25：￥3.710926 +100：￥2.757452 +250：￥2.619478	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 频率： 1kHz 安装类型： - 电压-额定： - 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SC-59
2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 频率： 1kHz 安装类型： - 电压-额定： - 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SC-59

Mouser

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	2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 10 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14mA 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 125°C（TJ）

2SK209-Y(TE85L,F)参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	10 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	14mA
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	13 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150mW
工作温度:	125°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SC-59
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	125°C（TJ）