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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK3738-TL-E ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V SC-75 下载数据手册晶体管-JFET	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 40 V 漏源电压（Vdss）： 40 V 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 50 µA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： 1 mA 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 2.3 V 1 µA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1.7pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： SMCP 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK3738-TL-E ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V SC-75 下载数据手册晶体管-JFET	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 40 V 漏源电压（Vdss）： 40 V 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 50 µA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： 1 mA 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 2.3 V 1 µA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1.7pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： SMCP 温度： 150°C（TJ）
	2SK3738-TL-E ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V SC-75 下载数据手册晶体管-JFET	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： SMCP
	2SK3738-TL-E ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V SC-75 下载数据手册晶体管-JFET	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： SMCP
	2SK3738-TL-E ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 40V 1MA SMCP 下载数据手册未分类	+2049：￥2.127509	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： SC-75, SOT-416 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： 150°C (TJ) FET Type： N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1.7pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)： 40 V Current Drain (Id) - Max： 1 mA Supplier Device Package： SMCP Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Power - Max： 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id： 2.3 V @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)： 50 µA @ 10 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK3738-TL-E ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V SC-75 下载数据手册晶体管-JFET	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 40 V 漏源电压（Vdss）： 40 V 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 50 µA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： 1 mA 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 2.3 V 1 µA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1.7pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： SMCP 温度： 150°C（TJ）

2SK3738-TL-E参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):	40 V
漏源电压（Vdss）:	40 V
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):	50 µA 10 V
漏极电流 (Id) - 最大值:	1 mA
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):	2.3 V 1 µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1.7pF 10V
电阻 - RDS(On):	-
功率 - 最大值:	100 mW
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SC-75，SOT-416
供应商器件封装:	SMCP
温度:	150°C（TJ）