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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N4393 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	N CHANNEL JFET 下载数据手册晶体管-JFET	+1：￥341.258642 +200：￥136.164711 +500：￥131.618967 +1000：￥129.36795	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： - 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： - 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： - 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： - 温度： -
	2N4393 Solid State 授权代理品牌	N CHANNEL J-FET T0-18 下载数据手册未分类	+1：￥65.44342 +200：￥26.116175 +500：￥25.241994 +1000：￥24.81583	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Solid State Inc. 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： - 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 40 V 漏源电压（Vdss）： 40 V 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： - 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14pF 20V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 300 mW 工作温度： - 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供应商器件封装： TO-18 温度： -

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N4393 CALOGIC 授权代理品牌	2N4393 CALOGIC LLC 下载数据手册未分类	+1：￥75.028211 +5：￥73.700273 +30：￥72.372334 +100：￥71.044394 +300：￥70.380425	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N4393 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 下载数据手册晶体管-JFET	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 40 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 5 mA 20 V 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 500 mV 1 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14pF 20V 电阻 - RDS(On)： 100 Ohms 功率 - 最大值： 1.8 W 工作温度： -65°C # 200°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装： TO-206AA（TO-18）温度： -65°C # 200°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N4393 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 下载数据手册晶体管-JFET	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 40 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 5 mA 20 V 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 500 mV 1 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14pF 20V 电阻 - RDS(On)： 100 Ohms 功率 - 最大值： 1.8 W 工作温度： -65°C # 200°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装： TO-206AA（TO-18）温度： -65°C # 200°C（TJ）
	2N4393 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	N CHANNEL JFET 下载数据手册晶体管-JFET	+100：￥128.863568	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： - 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： - 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： - 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： - 温度： -
	2N4393 Solid State 授权代理品牌	N CHANNEL J-FET T0-18 下载数据手册未分类	+10：￥21.789595	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Solid State Inc. 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： - 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 40 V 漏源电压（Vdss）： 40 V 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： - 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14pF 20V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 300 mW 工作温度： - 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供应商器件封装： TO-18 温度： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N4393 Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	N CHANNEL JFET 下载数据手册晶体管-JFET	+100：￥222.675816	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： - 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： - 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： - 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： - 温度： -
	2N4393 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 下载数据手册晶体管-JFET	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 40 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 5 mA 20 V 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 500 mV 1 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14pF 20V 电阻 - RDS(On)： 100 Ohms 功率 - 最大值： 1.8 W 工作温度： -65°C # 200°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装： TO-206AA（TO-18）温度： -65°C # 200°C（TJ）
	2N4393 Solid State 授权代理品牌	N CHANNEL J-FET T0-18 下载数据手册未分类	+10：￥37.652347	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Solid State Inc. 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： - 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 40 V 漏源电压（Vdss）： 40 V 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： - 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14pF 20V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 300 mW 工作温度： - 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供应商器件封装： TO-18 温度： -

2N4393参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):	40 V
漏源电压（Vdss）:	-
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):	5 mA 20 V
漏极电流 (Id) - 最大值:	-
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):	500 mV 1 nA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	14pF 20V
电阻 - RDS(On):	100 Ohms
功率 - 最大值:	1.8 W
工作温度:	-65°C # 200°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-206AA，TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:	TO-206AA（TO-18）
温度:	-65°C # 200°C（TJ）