品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： -

漏源电压（Vdss）： 30 V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 600 µA 10 V

漏极电流 (Id) - 最大值： 10 mA

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 180 mV 1 µA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4pF 10V

电阻 - RDS(On)： 200 Ohms

功率 - 最大值： 100 mW

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SMCP

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： -

漏源电压（Vdss）： 30 V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 600 µA 10 V

漏极电流 (Id) - 最大值： 10 mA

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 180 mV 1 µA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4pF 10V

电阻 - RDS(On)： 200 Ohms

功率 - 最大值： 100 mW

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SMCP

温度： 150°C（TJ）