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2N5639参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 散装 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS): | 35 V |
| 漏源电压(Vdss): | 30 V |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): | 25 mA 20 V |
| 漏极电流 (Id) - 最大值: | - |
| 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 10pF 12V(VGS) |
| 电阻 - RDS(On): | 60 Ohms |
| 功率 - 最大值: | 310 mW |
| 工作温度: | -65°C # 150°C(TJ) |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-226-3,TO-92-3 长体 |
| 供应商器件封装: | TO-92(TO-226) |
| 温度: | -65°C # 150°C(TJ) |


