品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 35 V

漏源电压（Vdss）： 30 V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 50 mA 20 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10pF 12V（VGS）

电阻 - RDS(On)： 30 Ohms

功率 - 最大值： 310 mW

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）

供应商器件封装： TO-92（TO-226）

温度： -65°C # 150°C（TJ）