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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N5639_D75Z ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 30V 0.35W TO92 下载数据手册晶体管-JFET	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：带盒（TB）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 30 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 25 mA 20 V 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10pF 12V（VGS）电阻 - RDS(On)： 60 Ohms 功率 - 最大值： 350 mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线供应商器件封装： TO-92-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N5639_D75Z ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 30V 0.35W TO92 下载数据手册晶体管-JFET	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：带盒（TB）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 30 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 25 mA 20 V 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10pF 12V（VGS）电阻 - RDS(On)： 60 Ohms 功率 - 最大值： 350 mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线供应商器件封装： TO-92-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N5639_D75Z ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 30V 0.35W TO92 下载数据手册晶体管-JFET	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：带盒（TB）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 30 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 25 mA 20 V 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10pF 12V（VGS）电阻 - RDS(On)： 60 Ohms 功率 - 最大值： 350 mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线供应商器件封装： TO-92-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

2N5639_D75Z参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	带盒（TB）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):	30 V
漏源电压（Vdss）:	-
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):	25 mA 20 V
漏极电流 (Id) - 最大值:	-
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	10pF 12V（VGS）
电阻 - RDS(On):	60 Ohms
功率 - 最大值:	350 mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装:	TO-92-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）