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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2N4391_晶体管-JFET
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

晶体管-JFET

+100:

¥101.15039

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 40 V

漏源电压(Vdss): -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): 50 mA 20 V

漏极电流 (Id) - 最大值: -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): 4 V 1 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 14pF 20V

电阻 - RDS(On): 30 Ohms

功率 - 最大值: 1.8 W

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-206AA,TO-18-3 金属罐

供应商器件封装: TO-206AA(TO-18)

温度: -65°C # 200°C(TJ)

Digi-Key
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2N4391_晶体管-JFET
+100:

¥247.440656

库存: 0

货期:7~10 天

系列: *

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

2N4391_晶体管-JFET
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

晶体管-JFET

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 40 V

漏源电压(Vdss): -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): 50 mA 20 V

漏极电流 (Id) - 最大值: -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): 4 V 1 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 14pF 20V

电阻 - RDS(On): 30 Ohms

功率 - 最大值: 1.8 W

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-206AA,TO-18-3 金属罐

供应商器件封装: TO-206AA(TO-18)

温度: -65°C # 200°C(TJ)

2N4391_未分类
2N4391
授权代理品牌

JFET N-CH 40V TO18

未分类

+10:

¥62.94278

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -

FET Type: -

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V

Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V

Supplier Device Package: TO-18

Part Status: Active

Drain to Source Voltage (Vdss): 400 mV

Resistance - RDS(On): 30 Ohms

Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 nA

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V

Mouser
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2N4391_未分类
2N4391
授权代理品牌
+1:

¥162.558458

+10:

¥149.307894

+25:

¥143.024123

+100:

¥126.085258

+500:

¥112.151676

库存: 0

货期:7~10 天

系列: *

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

2N4391_未分类
2N4391
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 40 V

漏源电压(Vdss): -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): 50 mA 20 V

漏极电流 (Id) - 最大值: -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): 4 V 1 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 14pF 20V

电阻 - RDS(On): 30 Ohms

功率 - 最大值: 1.8 W

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-206AA,TO-18-3 金属罐

供应商器件封装: TO-206AA(TO-18)

温度: -65°C # 200°C(TJ)

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2N4391
授权代理品牌
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¥287.68749

库存: 0

货期:7~10 天

系列: *

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

艾睿
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2N4391_未分类
2N4391
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+100:

¥231.302467

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

2N4391参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 40 V
漏源电压(Vdss): -
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): 50 mA 20 V
漏极电流 (Id) - 最大值: -
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): 4 V 1 nA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 14pF 20V
电阻 - RDS(On): 30 Ohms
功率 - 最大值: 1.8 W
工作温度: -65°C # 200°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装: TO-206AA(TO-18)
温度: -65°C # 200°C(TJ)