2N7002V厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 2N7002V 共 27 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002V CJT(长江连接器) 授权代理品牌	MOS场效应管 2N7002V SOT-563 下载数据手册未分类	+20：￥0.73568 +100：￥0.497552 +800：￥0.365178 +3000：￥0.264627 +6000：￥0.251438	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	2N7002V ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT563F 下载数据手册射频晶体管	+5：￥3.427083 +50：￥2.284722 +150：￥1.903935	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 280mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 25V 功率 - 最大值： 250mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563F 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	2N7002V ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT563F 下载数据手册射频晶体管	+5：￥3.427083 +50：￥2.284722 +150：￥1.903935	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 280mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 25V 功率 - 最大值： 250mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563F 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002V ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT563F 下载数据手册未分类	+1：￥1.021613 +200：￥0.395352 +500：￥0.381457 +1000：￥0.374592	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 280mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 25V 功率 - 最大值： 250mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563F 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002V VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	2N7002V VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.627651 +200：￥0.617006 +1970：￥0.606256 +5900：￥0.590129 +19650：￥0.574004	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	2N7002V VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	2N7002V VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.57938 +3000：￥0.545651 +9000：￥0.52141 +45000：￥0.507075	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	2N7002V ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT563F 下载数据手册未分类	+50：￥4.044817 +750：￥3.841483 +1500：￥3.608652	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Bulk Package / Case： SOT-563, SOT-666 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Power - Max： 250mW FET Type： 2 N-Channel (Dual) Drain to Source Voltage (Vdss)： 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 280mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 7.5Ohm @ 50mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： - FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-563F Part Status： Active
	2N7002V VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	2N7002V VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+30：￥0.690088 +100：￥0.678752 +500：￥0.650471 +3000：￥0.639135	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	2N7002V VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	2N7002V VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.625696 +50：￥0.588537 +200：￥0.577886 +500：￥0.567352	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002V ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT563F 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.907187 +6000：￥0.837582 +9000：￥0.801872 +15000：￥0.773167	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 280mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 25V 功率 - 最大值： 250mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563F 温度： -55°C # 150°C（TJ）

2N7002V参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	280mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.5 欧姆 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	50pF 25V
功率 - 最大值:	250mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	SOT-563F
温度:	-55°C # 150°C（TJ）