 | | | | | 品牌: onsemi 包装: 散装 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 停产 FET 类型: P 通道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 40 V 漏源电压(Vdss): - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): 1 mA 15 V 漏极电流 (Id) - 最大值: - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): 750 mV 1 µA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7pF 15V 电阻 - RDS(On): - 功率 - 最大值: 350 mW 工作温度: -65°C # 135°C(TJ) 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装: TO-92(TO-226) 温度: -65°C # 135°C(TJ) |
 | | | | | 品牌: Central Semiconductor Corp 包装: 散装 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 FET 类型: P 通道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 40 V 漏源电压(Vdss): - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): 1 mA 15 V 漏极电流 (Id) - 最大值: - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): 750 mV 1 µA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7pF 15V 电阻 - RDS(On): - 功率 - 最大值: 310 mW 工作温度: -65°C # 150°C(TJ) 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装: TO-92-3 温度: -65°C # 150°C(TJ) |
 | | | | | 品牌: NTE Electronics, Inc 包装: Bag 封装/外壳: * 系列: 零件状态: Active FET 类型: P-Channel 电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 40 V 漏源电压(Vdss): - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): 1 mA 15 V 漏极电流 (Id) - 最大值: - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): 750 mV 1 µA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7pF 15V 电阻 - RDS(On): - 功率 - 最大值: 310 mW 工作温度: -65°C # 150°C (TJ) 安装类型: Through Hole 封装/外壳: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供应商器件封装: TO-92 温度: -65°C # 150°C (TJ) |