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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK932-23-TB-E ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 50MA 200MW 3CP 下载数据手册未分类	+5：￥2.470328 +50：￥2.011383 +150：￥1.814692 +500：￥1.569265 +3000：￥1.459992	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： - 漏源电压（Vdss）： 15 V 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 10 mA 5 V 漏极电流 (Id) - 最大值： 50 mA 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 200 mV 100 µA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 200 mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMCP 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK932-23-TB-E ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 50MA 200MW 3CP 下载数据手册未分类	+10918：￥0.819935	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： - 漏源电压（Vdss）： 15 V 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 10 mA 5 V 漏极电流 (Id) - 最大值： 50 mA 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 200 mV 100 µA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 200 mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMCP 温度： 150°C（TJ）
	2SK932-23-TB-E ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 50MA 200MW 3CP 下载数据手册未分类	+30：￥4.627788 +100：￥3.473913 +500：￥2.725146 +1000：￥2.12363 +3000：￥1.914932	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	2SK932-23-TB-E ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 50MA 200MW 3CP 下载数据手册未分类	+5：￥3.42699 +50：￥1.668583 +100：￥1.528706 +200：￥1.518651 +500：￥1.238896	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： - 漏源电压（Vdss）： 15 V 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 10 mA 5 V 漏极电流 (Id) - 最大值： 50 mA 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 200 mV 100 µA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 200 mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMCP 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK932-23-TB-E ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 50MA 200MW 3CP 下载数据手册晶体管-JFET	+3000：￥0.993903 +6000：￥0.952656 +9000：￥0.857398 +30000：￥0.844706 +75000：￥0.793868	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： - 漏源电压（Vdss）： 15 V 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 10 mA 5 V 漏极电流 (Id) - 最大值： 50 mA 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 200 mV 100 µA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 200 mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMCP 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK932-23-TB-E ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 50MA 200MW 3CP 下载数据手册晶体管-JFET	+3000：￥1.717462 +6000：￥1.646186 +9000：￥1.481581 +30000：￥1.45965 +75000：￥1.3718	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： - 漏源电压（Vdss）： 15 V 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 10 mA 5 V 漏极电流 (Id) - 最大值： 50 mA 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 200 mV 100 µA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 200 mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMCP 温度： 150°C（TJ）
	2SK932-23-TB-E ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 50MA 200MW 3CP 下载数据手册晶体管-JFET	+1：￥6.354966 +10：￥4.934446 +100：￥2.96316 +500：￥2.743602 +1000：￥1.86562	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： 3-CP
	2SK932-23-TB-E ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 50MA 200MW 3CP 下载数据手册晶体管-JFET	+1：￥6.354966 +10：￥4.934446 +100：￥2.96316 +500：￥2.743602 +1000：￥1.86562	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： 3-CP
	2SK932-23-TB-E ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 50MA SMCP 下载数据手册未分类	+2865：￥2.24293	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： 150°C (TJ) FET Type： N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： - Current Drain (Id) - Max： 50 mA Supplier Device Package： SMCP Drain to Source Voltage (Vdss)： 15 V Power - Max： 200 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id： 200 mV @ 100 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)： 10 mA @ 5 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK932-23-TB-E ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 50MA 200MW 3CP 下载数据手册未分类	+1：￥7.921428 +10：￥5.085557 +100：￥3.501272 +1000：￥2.455643 +3000：￥2.170472	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

2SK932-23-TB-E参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):	-
漏源电压（Vdss）:	15 V
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):	10 mA 5 V
漏极电流 (Id) - 最大值:	50 mA
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):	200 mV 100 µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	-
电阻 - RDS(On):	-
功率 - 最大值:	200 mW
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装:	SMCP
温度:	150°C（TJ）