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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK3666-3-TB-E ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 10MA 200MW 3CP 下载数据手册	+1：￥1.139108 +200：￥0.440819 +500：￥0.425327 +1000：￥0.417673	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： - 漏源电压（Vdss）： 30 V 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 1.2 mA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： 10 mA 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 180 mV 1 µA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4pF 10V 电阻 - RDS(On)： 200 Ohms 功率 - 最大值： 200 mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMCP 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK3666-3-TB-E ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 10MA 200MW 3CP 下载数据手册晶体管-JFET	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： - 漏源电压（Vdss）： 30 V 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 1.2 mA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： 10 mA 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 180 mV 1 µA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4pF 10V 电阻 - RDS(On)： 200 Ohms 功率 - 最大值： 200 mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMCP 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK3666-3-TB-E ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 10MA 200MW 3CP 下载数据手册晶体管-JFET	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： - 漏源电压（Vdss）： 30 V 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 1.2 mA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： 10 mA 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 180 mV 1 µA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4pF 10V 电阻 - RDS(On)： 200 Ohms 功率 - 最大值： 200 mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMCP 温度： 150°C（TJ）
	2SK3666-3-TB-E ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 10MA 200MW 3CP 下载数据手册晶体管-JFET	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： 3-CP
	2SK3666-3-TB-E ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 10MA 200MW 3CP 下载数据手册晶体管-JFET	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： 3-CP
	2SK3666-3-TB-E ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 10MA SMCP 下载数据手册未分类	+4133：￥0.84333	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： 150°C (TJ) FET Type： N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 4pF @ 10V Current Drain (Id) - Max： 10 mA Supplier Device Package： SMCP Part Status： Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Power - Max： 200 mW Resistance - RDS(On)： 200 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id： 180 mV @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)： 1.2 mA @ 10 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK3666-3-TB-E ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 10MA 200MW 3CP 下载数据手册晶体管-JFET	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： - 漏源电压（Vdss）： 30 V 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 1.2 mA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： 10 mA 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 180 mV 1 µA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4pF 10V 电阻 - RDS(On)： 200 Ohms 功率 - 最大值： 200 mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMCP 温度： 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK3666-3-TB-E 授权代理品牌	Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥3.929058	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	2SK3666-3-TB-E ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥3.258641 +10：￥2.623079 +25：￥2.245863 +50：￥2.08103 +100：￥1.920949	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

2SK3666-3-TB-E参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):	-
漏源电压（Vdss）:	30 V
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):	1.2 mA 10 V
漏极电流 (Id) - 最大值:	10 mA
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):	180 mV 1 µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4pF 10V
电阻 - RDS(On):	200 Ohms
功率 - 最大值:	200 mW
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装:	SMCP
温度:	150°C（TJ）