搜索 2SK3666-3-TB-E 共 9 条相关记录
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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2SK3666-3-TB-E | +1: ¥3.929058 | 暂无参数 | |||
2SK3666-3-TB-E 授权代理品牌 | +1: ¥3.258641 +10: ¥2.623079 +25: ¥2.245863 +50: ¥2.08103 +100: ¥1.920949 | 暂无参数 |
2SK3666-3-TB-E参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | 散装,剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
电压 - 击穿 (V(BR)GSS): | - |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): | 1.2 mA 10 V |
漏极电流 (Id) - 最大值: | 10 mA |
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): | 180 mV 1 µA |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4pF 10V |
电阻 - RDS(On): | 200 Ohms |
功率 - 最大值: | 200 mW |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装: | SMCP |
温度: | 150°C(TJ) |