Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 340mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.5Ohm @ 300mA, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 350mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-23

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 1.6 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 27.5 pF @ 30 V

类型： N沟道

漏源电压(Vdss)： 60V

连续漏极电流(Id)： 115mA

功率(Pd)： 225mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 7.5Ω@10V,500mA

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA

类型： N沟道

漏源电压(Vdss)： 60V

连续漏极电流(Id)： 115mA

功率(Pd)： 200mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 7.5Ω@10V,500mA

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）