品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 280mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5Ohm 50mA, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 25V

功率 - 最大值： 250mW

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SOT-563, SOT-666

供应商器件封装： SOT-563F

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 280mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5Ohm 50mA, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 25V

功率 - 最大值： 250mW

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SOT-563, SOT-666

供应商器件封装： SOT-563F

温度： -55°C # 150°C (TJ)

Packaging： Bulk

Package / Case： SOT-563, SOT-666

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Power - Max： 250mW

FET Type： 2 N-Channel (Dual)

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 280mA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 50pF @ 25V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 7.5Ohm @ 50mA, 5V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： -

FET Feature： Logic Level Gate

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-563F

Part Status： Active

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 280mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5Ohm 50mA, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 25V

功率 - 最大值： 250mW

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SOT-563, SOT-666

供应商器件封装： SOT-563F

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 280mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5Ohm 50mA, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 25V

功率 - 最大值： 250mW

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SOT-563, SOT-666

供应商器件封装： SOT-563F

温度： -55°C # 150°C (TJ)

Packaging： Bulk

Package / Case： SOT-563, SOT-666

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Power - Max： 250mW

FET Type： 2 N-Channel (Dual)

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 280mA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 50pF @ 25V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 7.5Ohm @ 50mA, 5V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： -

FET Feature： Logic Level Gate

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-563F

Part Status： Active

品牌： Fairchild Semiconductor

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 280mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5Ohm 50mA, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 25V

功率 - 最大值： 250mW

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SOT-563, SOT-666

供应商器件封装： SOT-563F

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-563-6

系列： 2N7002VA

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 60 V

Id-连续漏极电流： 280 mA

Rds On-漏源导通电阻： 7.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1 V

Qg-栅极电荷： -

Pd-功率耗散： 150 mW

通道模式： Enhancement

商标： onsemi / Fairchild

配置： Dual

高度： 0.78 mm

长度： 1.6 mm

产品： MOSFET Small Signal

产品类型： MOSFET

晶体管类型： 2 N-Channel

典型关闭延迟时间： 12.5 ns

典型接通延迟时间： 5.85 ns

宽度： 0.88 mm

单位重量： 2 mg

温度： - 55 C~+ 150 C