Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： PNP - Darlington

Operating Temperature： -65°C # 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 4V @ 80mA, 8A

Current - Collector Cutoff (Max)： 500µA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 1000 @ 4A, 4V

Frequency - Transition： -

Supplier Device Package： TO-220

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 8 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 60 V

Power - Max： 75 W

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2V 16mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）： 20µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 4A，4V

功率 - 最大值： 75 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2V 16mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）： 20µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 4A，4V

功率 - 最大值： 75 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2V 16mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）： 20µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 4A，4V

功率 - 最大值： 75 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220

温度： -65°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： PNP - Darlington

Operating Temperature： -65°C # 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 4V @ 80mA, 8A

Current - Collector Cutoff (Max)： 500µA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 1000 @ 4A, 4V

Frequency - Transition： -

Supplier Device Package： TO-220

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 8 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 60 V

Power - Max： 75 W