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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2N7002DW_未分类
2N7002DW
JCET
授权代理品牌

MOSFETs 2 N-Channel Vdss：60V Id：115mA Pd：150mW SOT363-6

未分类
+20：

￥0.300762

+200：

￥0.281358

+500：

￥0.261954

+1000：

￥0.24255

+3000：

￥0.232848

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
2N7002DW_未分类
2N7002DW
YANGJIE(扬杰)
授权代理品牌

SOT-363 N 60V 0.34A Transistors

未分类
+1：

￥0.174207

+100：

￥0.163182

+300：

￥0.152157

+500：

￥0.141132

+2000：

￥0.135619

库存： 1000 +

国内：1~2 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Power - Max： 300mW

FET Type： 2 N-Channel (Dual)

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 340mA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 50pF @ 25V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.5Ohm @ 300mA, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： -

FET Feature： Standard

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-363

Part Status： Active

2N7002DW_未分类
2N7002DW
JSCJ
授权代理品牌

MOSFETs 2个N-沟道 60V 115mA SOT-363

未分类
+20：

￥0.250047

+100：

￥0.227722

+500：

￥0.212838

+1000：

￥0.197954

+5000：

￥0.180094

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2N7002DW_null
2N7002DW
CJT(长江连接器)
授权代理品牌

MOS场效应管 2N7002DW K72 SC-88(SOT-363) N沟道,60V,115mA,5Ω@10V

下载数据手册
+20：

￥0.538208

+100：

￥0.363968

+800：

￥0.267168

+3000：

￥0.1936

+6000：

￥0.18392

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
2N7002DW_射频晶体管
2N7002DW
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6

下载数据手册

射频晶体管
+10：

￥2.043569

+200：

￥1.381941

+800：

￥1.014464

+3000：

￥0.735075

+6000：

￥0.698291

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 50mA，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 25V

功率 - 最大值： 200mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

2N7002DW_未分类
2N7002DW
迪恩思(DIOS)
授权代理品牌

场效应管(MOSFET) 2N7002DW K72 SOT-363

未分类
+20：

￥0.239459

+100：

￥0.162019

+800：

￥0.118943

+3000：

￥0.086152

+6000：

￥0.081796

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
2N7002DW_未分类
2N7002DW
扬杰(YANGJIE)
授权代理品牌

场效应管(MOSFET) 2N7002DW SOT-363

未分类
+1：

￥0.324522

+100：

￥0.292215

+300：

￥0.260029

+500：

￥0.243815

+2000：

￥0.211508

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2N7002DW_未分类
2N7002DW
YANGJIE(扬杰)
授权代理品牌

SOT-363 N 60V 0.34A Transistors

未分类
+1：

￥0.195657

库存： 1000 +

国内：1~2 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Power - Max： 300mW

FET Type： 2 N-Channel (Dual)

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 340mA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 50pF @ 25V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.5Ohm @ 300mA, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： -

FET Feature： Standard

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-363

Part Status： Active

2N7002DW_射频晶体管
2N7002DW
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6

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射频晶体管
+1：

￥0.798116

+100：

￥0.738826

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 50mA，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 25V

功率 - 最大值： 200mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2N7002DW_射频晶体管
2N7002DW
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6

下载数据手册

射频晶体管
+3000：

￥0.56779

+6000：

￥0.520448

+9000：

￥0.496121

+15000：

￥0.468603

+21000：

￥0.452219

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 50mA，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 25V

功率 - 最大值： 200mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

2N7002DW参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道（双）
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 115mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.5 欧姆 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 50pF 25V
功率 - 最大值: 200mW
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装: SC-88（SC-70-6）
温度: -55°C # 150°C（TJ）