类型： N沟道

漏源电压(Vdss)： 60V

连续漏极电流(Id)： 300mA

功率(Pd)： 350mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.8Ω@10V,300mA

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.6V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)： 1.7nC@4.5V

输入电容(Ciss@Vds)： 27pF@30V

反向传输电容(Crss@Vds)： 2pF@30V

工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 50mA，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SC-89-3

封装/外壳： SC-89，SOT-490

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 50mA，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SC-89-3

封装/外壳： SC-89，SOT-490

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 50mA，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SC-89-3

封装/外壳： SC-89，SOT-490

温度： 150°C（TJ）