品牌： onsemi

包装： 带盒（TB）,散装,剪切带（CT）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-92-3

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 200mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5Ohm @ 500mA, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 400mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 1mA

Supplier Device Package： TO-92-3

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 50 pF @ 25 V

Packaging： Tape & Box (TB)

Package / Case： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 200mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5Ohm @ 500mA, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 400mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 1mA

Supplier Device Package： TO-92-3

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 50 pF @ 25 V