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	2N7002ET1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.174636 +20：￥0.158264 +100：￥0.141892 +500：￥0.12552 +1000：￥0.117879	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 240mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.81 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26.7 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	2N7002ET1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOS场效应管 2N7002ET1G SOT-23 下载数据手册未分类	+20：￥0.446006 +100：￥0.301653 +800：￥0.22143 +3000：￥0.160446 +6000：￥0.15246	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	2N7002ET1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.136367	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 240mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.81 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26.7 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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2N7002ET1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥1.829241 +10：￥1.515075 +25：￥1.501445 +100：￥0.82798 +250：￥0.819377	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 240mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.81 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26.7 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002ET1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	2N7002ET1G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.232932 +150：￥0.223973 +18000：￥0.197097 +90000：￥0.193513 +177000：￥0.179178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
2N7002ET1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥1.059576 +30：￥0.350241 +100：￥0.28932 +500：￥0.273195 +1500：￥0.262865	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 240mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.81 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26.7 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002ET1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥1.059576 +30：￥0.350241 +100：￥0.28932 +500：￥0.273195 +1500：￥0.262865	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 240mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.81 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26.7 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002ET1G JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	2N7002ET1G JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+3000：￥0.117415 +9000：￥0.114358 +15000：￥0.111302 +207000：￥0.107191	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
2N7002ET1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 240mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.81 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26.7 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	2N7002ET1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.222013 +6000：￥0.200687 +9000：￥0.18968 +15000：￥0.177236 +21000：￥0.169793	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 240mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.81 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26.7 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

2N7002ET1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	260mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.5 欧姆 240mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.81 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	26.7 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300mW（Tj）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2N7002ET1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥1.829241 +10：￥1.515075 +25：￥1.501445 +100：￥0.82798 +250：￥0.819377	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 240mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.81 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26.7 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002ET1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	2N7002ET1G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.232932 +150：￥0.223973 +18000：￥0.197097 +90000：￥0.193513 +177000：￥0.179178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
2N7002ET1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥1.059576 +30：￥0.350241 +100：￥0.28932 +500：￥0.273195 +1500：￥0.262865	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 240mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.81 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26.7 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002ET1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥1.059576 +30：￥0.350241 +100：￥0.28932 +500：￥0.273195 +1500：￥0.262865	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 240mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.81 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26.7 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002ET1G JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	2N7002ET1G JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+3000：￥0.117415 +9000：￥0.114358 +15000：￥0.111302 +207000：￥0.107191	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
2N7002ET1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 240mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.81 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26.7 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）