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	2N7002TQ-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.118524 +200：￥0.756371 +800：￥0.555269 +3000：￥0.402325 +6000：￥0.382239	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	2N7002TQ-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.544444 +50：￥1.029589 +150：￥0.858011	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	2N7002TQ-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523 下载数据手册未分类	+5：￥0.81218 +50：￥0.65814 +150：￥0.581121	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	2N7002TQ-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.718135	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	2N7002TQ-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523 下载数据手册未分类	+1：￥0.650101 +50：￥0.442676 +1500：￥0.39725 +3000：￥0.357936 +18000：￥0.352032	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	2N7002TQ-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.771673 +200：￥0.497894 +1500：￥0.432952 +3000：￥0.38329 +45000：￥0.378196	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	2N7002TQ-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	2N7002TQ-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.316151 +6000：￥0.30225 +9000：￥0.287648	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	2N7002TQ-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.773388 +6000：￥0.739384 +9000：￥0.703665	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	2N7002TQ-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.286277 +10：￥3.014682 +100：￥1.518772 +500：￥1.239021 +1000：￥0.919263	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-523 供应商器件封装： SOT-523

2N7002TQ-7-F参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	115mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	13.5 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	50 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-523
封装/外壳:	SOT-523
温度:	-55°C # 150°C（TJ）