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搜索 2N7002KW 共 70 条相关记录
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2N7002KW_未分类
2N7002KW
BORN(伯恩半导体)
授权代理品牌

N沟道MOSFET VDS=60V ID=0.2A SOT323

未分类
+1：

￥0.105686

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
2N7002KW_晶体管-FET，MOSFET-单个
2N7002KW
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥0.698556

+100：

￥0.651986

+300：

￥0.605416

+500：

￥0.558847

+2000：

￥0.535562

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 310mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-323

封装/外壳： SC-70，SOT-323

温度： -55°C # 150°C（TJ）

2N7002KW_未分类
2N7002KW
JSCJ
授权代理品牌

MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=340mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT323

未分类
+20：

￥0.126226

+200：

￥0.118288

+500：

￥0.11035

+1000：

￥0.102412

+3000：

￥0.098431

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
2N7002KW_未分类
2N7002KW
KF Control
授权代理品牌

MOSFETs N-沟道 60V 300mA SOT-323

未分类
+50：

￥0.07938

+500：

￥0.071442

+5000：

￥0.06615

+10000：

￥0.063504

+30000：

￥0.060858

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2N7002KW_晶体管-FET，MOSFET-单个
2N7002KW
ON(安森美)
授权代理品牌
+10：

￥1.724008

+200：

￥1.165835

+800：

￥0.855833

+3000：

￥0.620125

+6000：

￥0.589149

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 310mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-323

封装/外壳： SC-70，SOT-323

温度： -55°C # 150°C（TJ）

2N7002KW_未分类
2N7002KW
伯恩半导体(BORN)
授权代理品牌

场效应管(MOSFET) 2N7002KW SOT-323

未分类
+1：

￥0.128865

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2N7002KW_未分类
2N7002KW
PANJIT(强茂)
授权代理品牌
+1：

￥0.11858

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
2N7002KW_晶体管-FET，MOSFET-单个
2N7002KW
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥0.552607

+100：

￥0.511104

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 310mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-323

封装/外壳： SC-70，SOT-323

温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2N7002KW_未分类
2N7002KW
YANGJIE(扬杰)
授权代理品牌

N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-323

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未分类
+3000：

￥0.590986

+9000：

￥0.564224

+15000：

￥0.553473

+30000：

￥0.537345

库存： 1000 +

国内：1~2 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： SC-70, SOT-323

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 340mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.5Ohm @ 300mA, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 350mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-323

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 2.4 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 30 pF @ 30 V

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2N7002KW_晶体管-FET，MOSFET-单个
2N7002KW
ON(安森美)
授权代理品牌
+3000：

￥0.441962

+6000：

￥0.403563

+9000：

￥0.383801

+15000：

￥0.361474

+21000：

￥0.348154

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 310mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-323

封装/外壳： SC-70，SOT-323

温度： -55°C # 150°C（TJ）

2N7002KW参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 310mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.6 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: -
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 50 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 350mW（Ta）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-323
封装/外壳: SC-70，SOT-323
温度: -55°C # 150°C（TJ）