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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2N7002K_未分类
2N7002K
JCET
授权代理品牌

MOSFETs N-Channel Vdss：60V Id：340mA Pd：350mW SOT23-3

未分类
+10：

￥0.114804

+50：

￥0.105487

+200：

￥0.097737

+600：

￥0.089976

+1500：

￥0.083768

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
2N7002K_未分类
2N7002K
Hottech(合科泰)
授权代理品牌

MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=340mA RDS(ON)=5.3Ω@4.5V SOT23

未分类
+20：

￥0.06077

+200：

￥0.057231

+500：

￥0.053703

+1000：

￥0.050164

+3000：

￥0.0484

库存： 1000 +

国内：1~2 天

类型： N沟道

漏源电压(Vdss)： 60V

连续漏极电流(Id)： 300mA

功率(Pd)： 225mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 5Ω@10V,500mA

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250μA

2N7002K_未分类
2N7002K
MDD
授权代理品牌

MOSFET SOT-23 N Channel 60V

下载数据手册

未分类
+1：

￥0.052028

+10：

￥0.047728

+30：

￥0.046868

+100：

￥0.044288

库存： 1000 +

国内：1~2 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 500mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 900mOhm @ 300mA, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 500mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-23

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 0.31 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 23.8 pF @ 10 V

2N7002K_未分类
2N7002K
NCE(新洁能)
授权代理品牌

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW

未分类
+10：

￥0.068355

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
2N7002K_未分类
2N7002K
MDD
授权代理品牌

MOSFET SOT-23 N Channel 60V

下载数据手册

未分类
+10：

￥0.064937

+50：

￥0.05991

+200：

￥0.05572

+600：

￥0.051531

+1500：

￥0.048179

库存： 1000 +

国内：1~2 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 500mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 900mOhm @ 300mA, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 500mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-23

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 0.31 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 23.8 pF @ 10 V

2N7002K_未分类
2N7002K
MSKSEMI(美森科)
授权代理品牌

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW

未分类
+50：

￥0.06712

+500：

￥0.053692

+3000：

￥0.042512

+6000：

￥0.038036

+9000：

￥0.036912

库存： 1000 +

国内：1~2 天

类型： N沟道

漏源电压(Vdss)： 60V

连续漏极电流(Id)： 300mA

功率(Pd)： 350mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.2Ω@10V,300mA

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.6V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)： 3.7nC@10V

输入电容(Ciss@Vds)： 25.5pF@30V

反向传输电容(Crss@Vds)： 7.8pF@30V

工作温度： -50℃~+150℃@(Tj)

2N7002K_未分类
2N7002K
JSMICRO(杰盛微)
授权代理品牌

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：350mW

未分类
+1：

￥0.1323

+100：

￥0.12348

+300：

￥0.11466

+500：

￥0.10584

+2000：

￥0.10143

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
2N7002K_未分类
2N7002K
TK(东信)
授权代理品牌

N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=340mA P=350mW

未分类
+1：

￥0.050009

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
2N7002K_未分类
2N7002K
JSCJ
授权代理品牌

MOSFETs N-Channel Vdss=60V Id=340mA Pd=350mW SOT23

未分类
+20：

￥0.079402

+100：

￥0.072225

+500：

￥0.06744

+1000：

￥0.062656

+5000：

￥0.056923

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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2N7002K_晶体管-FET，MOSFET-单个
2N7002K
ON(安森美)
授权代理品牌
+5：

￥0.385291

+20：

￥0.378412

+100：

￥0.364652

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

2N7002K参数规格

属性 参数值