2N7002/HAMR厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 2N7002/HAMR 共 19 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002/HAMR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥1.076537 +100：￥0.728057 +800：￥0.242242 +3000：￥0.13673 +6000：￥0.129954	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5Ohm 500mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW (Tc) 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C (TJ)

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002/HAMR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 下载数据手册未分类	+10：￥0.249965 +100：￥0.201894 +300：￥0.177858 +3000：￥0.159834 +6000：￥0.145413	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5Ohm 500mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW (Tc) 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002/HAMR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.111562	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5Ohm 500mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW (Tc) 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C (TJ)

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2N7002/HAMR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥0.13961 +200：￥0.13741 +6000：￥0.133011 +9000：￥0.129539	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5Ohm 500mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW (Tc) 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C (TJ)
2N7002/HAMR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.182674 +100：￥0.155237 +300：￥0.152112	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5Ohm 500mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW (Tc) 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C (TJ)
2N7002/HAMR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.502525	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5Ohm 500mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW (Tc) 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C (TJ)
2N7002/HAMR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.193787 +30000：￥0.187998	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5Ohm 500mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW (Tc) 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002/HAMR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 下载数据手册	+540：￥0.423878 +1000：￥0.313978 +1500：￥0.257299 +3000：￥0.22775	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5Ohm 500mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW (Tc) 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002/HAMR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.172298 +6000：￥0.159798 +9000：￥0.137254	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5Ohm 500mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW (Tc) 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002/HAMR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.421484 +6000：￥0.390909 +9000：￥0.335759	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5Ohm 500mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW (Tc) 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C (TJ)

2N7002/HAMR参数规格

属性	参数值
品牌:	Nexperia USA Inc.
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	300mA (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5Ohm 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	50 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	830mW (Tc)
工作温度:	-65°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	TO-236AB
封装/外壳:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
温度:	-65°C # 150°C (TJ)

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2N7002/HAMR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥0.13961 +200：￥0.13741 +6000：￥0.133011 +9000：￥0.129539	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5Ohm 500mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW (Tc) 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C (TJ)
2N7002/HAMR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.182674 +100：￥0.155237 +300：￥0.152112	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5Ohm 500mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW (Tc) 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C (TJ)
2N7002/HAMR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.502525	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5Ohm 500mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW (Tc) 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C (TJ)
2N7002/HAMR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.193787 +30000：￥0.187998	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5Ohm 500mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW (Tc) 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C (TJ)