| | DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 稳压二极管 | | | 品牌: Fairchild Semiconductor 包装: Bulk 封装/外壳: * 系列: 零件状态: Obsolete 电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 3.9 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 23 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 1 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V 200 mA 工作温度: -65°C # 200°C 安装类型: Through Hole 封装/外壳: DO-204AH, DO-35, Axial 供应商器件封装: DO-35 (DO-204AH) 温度: -65°C # 200°C |
| | DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 稳压二极管 | | | 品牌: NTE Electronics, Inc 包装: Bag 封装/外壳: * 系列: 零件状态: Active 电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 3.9 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 23 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 1 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V 200 mA 工作温度: -65°C # 200°C 安装类型: Through Hole 封装/外壳: DO-204AH, DO-35, Axial 供应商器件封装: DO-35 温度: -65°C # 200°C |
| | DIODE ZENER 3.9V 500MW DO7 稳压二极管 | | | 品牌: Microchip Technology 包装: 散装 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 3.9 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 23 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA 10 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 200 mA 工作温度: -65°C # 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AA,DO-7,轴向 供应商器件封装: DO-7(DO-204AA) 温度: -65°C # 175°C |
| | DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 稳压二极管 | | | 品牌: onsemi 包装: 散装 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 停产 电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 3.9 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 23 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 1 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V 200 mA 工作温度: -65°C # 200°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装: DO-35 温度: -65°C # 200°C |