品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 10 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 17 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.5 V 200 mA

工作温度： -65°C # 200°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

温度： -65°C # 200°C

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： -

容差： -

功率 - 最大值： -

阻抗（最大值）(Zzt)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： -

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： -

容差： -

功率 - 最大值： -

阻抗（最大值）(Zzt)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： -

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 10 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 17 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.5 V 200 mA

工作温度： -65°C # 200°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

温度： -65°C # 200°C

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： -

容差： -

功率 - 最大值： -

阻抗（最大值）(Zzt)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： -

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

Packaging： Tape & Reel (TR)

Tolerance： ±5%

Package / Case： DO-204AH, DO-35, Axial

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： 175°C (TJ)

Voltage - Zener (Nom) (Vz)： 10 V

Impedance (Max) (Zzt)： 17 Ohms

Supplier Device Package： DO-204AH (DO-35 Glass)

Grade： -

Power - Max： 500 mW

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.5 V @ 200 mA

Current - Reverse Leakage @ Vr： 100 nA @ 1 V

Qualification： -