二极管配置： 独立式

稳压值(标称值)： 4.7V

稳压值(范围)： 4.47V~4.93V

精度： ±5%

功率： 500mW

反向电流(Ir)： 5μA@2V

阻抗(Zzt)： 19Ω

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 4.7 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 19 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 200°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

温度： -65°C # 200°C

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 4.7 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 19 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 200°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

温度： -65°C # 200°C

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 4.7 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 19 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 200°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

温度： -65°C # 200°C

二极管配置： 独立式

稳压值(标称值)： 4.7V

稳压值(范围)： 4.47V~4.93V

精度： ±5%

功率： 500mW

反向电流(Ir)： 5μA@2V

阻抗(Zzt)： 19Ω

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 4.7 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 19 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 200°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

温度： -65°C # 200°C

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： -

容差： -

功率 - 最大值： -

阻抗（最大值）(Zzt)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： -

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 4.7 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 19 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 200°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

温度： -65°C # 200°C

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： -

容差： -

功率 - 最大值： -

阻抗（最大值）(Zzt)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： -

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -