![1N4151_未分类]() | 1N4151 | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 未分类 | | | 品牌： Diotec Semiconductor 包装： Box 封装/外壳： * 系列： 零件状态： Active 二极管类型： Standard 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 200mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 50 mA 速度： Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 反向恢复时间 (trr)： 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 50 nA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 4pF 0V, 1MHz 安装类型： Through Hole 封装/外壳： DO-204AH, DO-35, Axial 供应商器件封装： DO-35 工作温度 - 结： -50°C # 175°C 温度： |
 | 1N4151 | DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 未分类 | | | 品牌： onsemi 包装： 散装 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 停产 二极管类型： 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 75 V 电流 - 平均整流 (Io)： 150mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 50 mA 速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间 (trr)： 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 50 nA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 2pF 0V，1MHz 安装类型： 通孔 封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装： DO-35 工作温度 - 结： 175°C（最大） 温度： |
![1N4151_未分类]() | 1N4151 | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 未分类 | | | 品牌： Diotec Semiconductor 包装： Box 封装/外壳： * 系列： 零件状态： Active 二极管类型： Standard 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 200mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 50 mA 速度： Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 反向恢复时间 (trr)： 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 50 nA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 4pF 0V, 1MHz 安装类型： Through Hole 封装/外壳： DO-204AH, DO-35, Axial 供应商器件封装： DO-35 工作温度 - 结： -50°C # 175°C 温度： |
| 1N4151 | DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 二极管整流器 | | | 品牌： onsemi 包装： 散装 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 停产 二极管类型： 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 75 V 电流 - 平均整流 (Io)： 150mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 50 mA 速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间 (trr)： 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 50 nA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 2pF 0V，1MHz 安装类型： 通孔 封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装： DO-35 工作温度 - 结： 175°C（最大） 温度： |
| 1N4151 | DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 二极管整流器 | | | 品牌： onsemi 包装： 散装 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 停产 二极管类型： 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 75 V 电流 - 平均整流 (Io)： 150mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 50 mA 速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间 (trr)： 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 50 nA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 2pF 0V，1MHz 安装类型： 通孔 封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装： DO-35 工作温度 - 结： 175°C（最大） 温度： |
