品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.1 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 17 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 200°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

温度： -65°C # 200°C

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.1 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 17 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 200°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

温度： -65°C # 200°C

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.1 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 17 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 200°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

温度： -65°C # 200°C

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.1 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 17 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 200°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

温度： -65°C # 200°C

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.1 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 17 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 200°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

温度： -65°C # 200°C

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.1 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 17 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 200°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

温度： -65°C # 200°C

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.1 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 17 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 200°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

温度： -65°C # 200°C

品牌： Fairchild Semiconductor

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.1 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 17 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 200°C

安装类型： Through Hole

封装/外壳： DO-204AH, DO-35, Axial

供应商器件封装： DO-35 (DO-204AH)

温度： -65°C # 200°C

品牌： onsemi

包装： *

封装/外壳： DO-35-2

系列： 1N5231B

产品种类： 稳压二极管

Vz - 齐纳电压： 5.1 V

安装风格： Through Hole

Pd-功率耗散： 500 mW

电压容差： 5 %

电压温度系数： 0.03 %/C

齐纳电流： 5 uA

Zz - 齐纳阻抗： 17 Ohms

配置： Single

测试电流： 20 mA

商标： onsemi / Fairchild

高度： 1.91 mm

Ir - 反向电流 ： 5 uA

长度： 4.56 mm

产品类型： Zener Diodes

端接类型： Axial

宽度： 1.91 mm

零件号别名： 1N5231BTR_NL

单位重量： 150 mg

温度： - 65 C~+ 200 C