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1N5226BTR_稳压二极管
1N5226BTR
ON(安森美)
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DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

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稳压二极管
+1：

￥0.213091

+30：

￥0.205738

+100：

￥0.191041

+500：

￥0.176345

+1000：

￥0.169003

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 3.3 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 28 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 25 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 200°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

温度： -65°C # 200°C

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1N5226BTR_未分类
1N5226BTR
长工微(Innovisionsemi)
授权代理品牌

稳压二极管 1N5226BTR DO-35(DO-204AH)

未分类
+1：

￥0.412126

+30：

￥0.370986

+100：

￥0.309155

+500：

￥0.267894

+1000：

￥0.206063

库存： 1000 +

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1N5226BTR_稳压二极管
1N5226BTR
ON(安森美)
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DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

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稳压二极管
+20：

￥0.279641

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￥0.230987

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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 3.3 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 28 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 25 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 200°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

温度： -65°C # 200°C

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1N5226BTR_稳压二极管
1N5226BTR
ON(安森美)
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DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

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稳压二极管
+1：

￥0.154154

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 3.3 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 28 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 25 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 200°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

温度： -65°C # 200°C

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1N5226BTR
ON Semiconductor
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DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

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未分类
+28572：

￥0.100328

+142858：

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库存： 1000 +

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品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 3.3 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 28 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 25 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 200°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

温度： -65°C # 200°C

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1N5226BTR
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未分类
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￥0.1191

+20000：

￥0.116993

+50000：

￥0.114885

+125000：

￥0.112777

+200000：

￥0.111723

库存： 1000 +

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品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 3.3 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 28 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 25 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 200°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

温度： -65°C # 200°C

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1N5226BTR
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￥1.296768

+100：

￥0.722177

+500：

￥0.441864

+1000：

￥0.246126

+5000：

￥0.221771

库存： 1000 +

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稳压二极管
+1：

￥0.494802

+100：

￥0.3158

+500：

￥0.260499

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￥0.239397

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 3.3 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 28 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 25 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 200°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

温度： -65°C # 200°C

自营 国内现货
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稳压二极管
+5000：

￥0.144166

+10000：

￥0.122728

+25000：

￥0.113498

+50000：

￥0.098195

+125000：

￥0.081605

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 3.3 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 28 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 25 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 200°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

温度： -65°C # 200°C

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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
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DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

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稳压二极管
+5000：

￥0.352668

+10000：

￥0.300225

+25000：

￥0.277647

+50000：

￥0.240209

+125000：

￥0.199627

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 3.3 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 28 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 25 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 200°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

温度： -65°C # 200°C

1N5226BTR参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.3 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 28 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 200 mA
工作温度: -65°C # 200°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-35
温度: -65°C # 200°C