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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N4150TR Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35 下载数据手册二极管整流器	+10：￥0.440682 +100：￥0.374616 +300：￥0.308429 +1000：￥0.275396 +5000：￥0.253374	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 300mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 200 mA 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 2.5pF 0V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装： DO-35（DO-204AH）工作温度 - 结： 175°C（最大）温度：

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N4150TR Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35 下载数据手册二极管整流器	+10：￥0.277703 +100：￥0.222438 +300：￥0.194807 +1000：￥0.174083 +5000：￥0.157505	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 300mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 200 mA 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 2.5pF 0V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装： DO-35（DO-204AH）工作温度 - 结： 175°C（最大）温度：
	1N4150TR ON(安森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 下载数据手册二极管整流器	+1：￥0.15636 +200：￥0.06051 +500：￥0.058383 +1000：￥0.057333	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 200mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 200 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 6 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 2.5pF 0V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装： DO-35 工作温度 - 结： 175°C（最大）温度：

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	1N4150TR Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 300mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 200 mA 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 2.5pF 0V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装： DO-35（DO-204AH）工作温度 - 结： 175°C（最大）温度：

自营国内现货

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	1N4150TR Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35 下载数据手册二极管整流器	+10000：￥0.201437 +20000：￥0.182489 +30000：￥0.172795 +50000：￥0.161913 +70000：￥0.156347	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 300mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 200 mA 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 2.5pF 0V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装： DO-35（DO-204AH）工作温度 - 结： 175°C（最大）温度：
	1N4150TR ON(安森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 下载数据手册二极管整流器	+10000：￥0.201437 +20000：￥0.182489 +30000：￥0.172795 +50000：￥0.161913 +70000：￥0.156347	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 200mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 200 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 6 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 2.5pF 0V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装： DO-35 工作温度 - 结： 175°C（最大）温度：
	1N4150TR ON Semiconductor 授权代理品牌	RECTIFIER DIODE 下载数据手册二极管整流器	+10000：￥0.201437 +20000：￥0.182489 +30000：￥0.172795 +50000：￥0.161913 +70000：￥0.156347	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 200mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 200 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 6 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 2.5pF 0V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装： DO-35 工作温度 - 结： 175°C（最大）温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N4150TR Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35 下载数据手册二极管整流器	+10000：￥0.492769 +20000：￥0.446414 +30000：￥0.422701 +50000：￥0.396082 +70000：￥0.382466	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 300mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 200 mA 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 2.5pF 0V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装： DO-35（DO-204AH）工作温度 - 结： 175°C（最大）温度：
	1N4150TR Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35 下载数据手册二极管整流器	+1：￥4.130631 +10：￥2.784352 +100：￥1.360049 +500：￥1.134243 +1000：￥0.788034	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Through Hole 工作温度-结： 175°C (Max) 封装/外壳： DO-204AH, DO-35, Axial 供应商器件封装： DO-35
	1N4150TR ON(安森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 200mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 200 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 6 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 2.5pF 0V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装： DO-35 工作温度 - 结： 175°C（最大）温度：

1N4150TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	50 V
电流 - 平均整流 (Io):	300mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1 V 200 mA
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	100 nA 50 V
不同 Vr、F 时电容:	2.5pF 0V，1MHz
安装类型:	通孔
封装/外壳:	DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装:	DO-35（DO-204AH）
工作温度 - 结:	175°C（最大）
温度: