品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V

电流 - 平均整流 (Io)： 200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 10 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 50 V

不同 Vr、F 时电容： 4pF 0V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

工作温度 - 结： 175°C（最大）

温度：

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V

电流 - 平均整流 (Io)： 200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 10 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 50 V

不同 Vr、F 时电容： 4pF 0V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

工作温度 - 结： 175°C（最大）

温度：

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V

电流 - 平均整流 (Io)： 200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 10 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 50 V

不同 Vr、F 时电容： 4pF 0V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

工作温度 - 结： 175°C（最大）

温度：

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V

电流 - 平均整流 (Io)： 200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 10 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 50 V

不同 Vr、F 时电容： 4pF 0V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

工作温度 - 结： 175°C（最大）

温度：

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 75 V

电流 - 平均整流 (Io)： 200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 10 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 50 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

工作温度 - 结： -65°C # 175°C

温度：

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 75 V

电流 - 平均整流 (Io)： 200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 10 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 50 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

工作温度 - 结： -65°C # 175°C

温度：

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V

电流 - 平均整流 (Io)： 200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 10 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 50 V

不同 Vr、F 时电容： 4pF 0V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

工作温度 - 结： 175°C（最大）

温度：

包装： -

系列： -

安装类型： Through Hole

工作温度-结： 175°C (Max)

封装/外壳： DO-204AH, DO-35, Axial

供应商器件封装： DO-35

Packaging： Bulk

Package / Case： DO-204AH, DO-35, Axial

Mounting Type： Through Hole

Diode Type： Standard

Speed： Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)： 4 ns

Capacitance @ Vr, F： -

Current - Average Rectified (Io)： 200mA

Supplier Device Package： DO-35

Operating Temperature - Junction： -65°C # 175°C

Part Status： Active

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 75 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1 V @ 10 mA

Current - Reverse Leakage @ Vr： 100 nA @ 50 V