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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N4154 ON(安森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35 下载数据手册二极管整流器	+1：￥0.15636 +200：￥0.06051 +500：￥0.058383 +1000：￥0.057333	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：停产二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 35 V 电流 - 平均整流 (Io)： 100mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 30 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 25 V 不同 Vr、F 时电容： 4pF 0V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装： DO-35 工作温度 - 结： 175°C（最大）温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N4154 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 35V 200MA DO35 下载数据手册二极管整流器	+667：￥7.573759	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 35 V 电流 - 平均整流 (Io)： 200mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 30 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 2 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 25 V 不同 Vr、F 时电容： 4pF 4V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装： DO-35 工作温度 - 结： -65°C # 150°C 温度：
	1N4154 ON(安森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35 下载数据手册二极管整流器	+667：￥7.573759	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：停产二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 35 V 电流 - 平均整流 (Io)： 100mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 30 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 25 V 不同 Vr、F 时电容： 4pF 0V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装： DO-35 工作温度 - 结： 175°C（最大）温度：
	1N4154 ON Semiconductor 授权代理品牌	RECTIFIER DIODE 下载数据手册二极管整流器	+667：￥7.573759	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：停产二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 35 V 电流 - 平均整流 (Io)： 100mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 30 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 25 V 不同 Vr、F 时电容： 4pF 0V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装： DO-35 工作温度 - 结： 175°C（最大）温度：
	1N4154 NTE Electronics, Inc 授权代理品牌	D-SI 35PRV .03A 下载数据手册二极管整流器	+667：￥7.573759	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： NTE Electronics, Inc 包装： Bag 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 二极管类型： Standard 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 35 V 电流 - 平均整流 (Io)： 100mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 30 mA 速度： Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 反向恢复时间 (trr)： 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 25 V 不同 Vr、F 时电容： 4pF 0V, 1MHz 安装类型： Through Hole 封装/外壳： DO-204AH, DO-35, Axial 供应商器件封装： DO-35 工作温度 - 结： 175°C (Max) 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N4154 Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 35V 200MA DO35 下载数据手册二极管整流器	+667：￥18.52742	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 35 V 电流 - 平均整流 (Io)： 200mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 30 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 2 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 25 V 不同 Vr、F 时电容： 4pF 4V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装： DO-35 工作温度 - 结： -65°C # 150°C 温度：
	1N4154 ON(安森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：停产二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 35 V 电流 - 平均整流 (Io)： 100mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 30 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 25 V 不同 Vr、F 时电容： 4pF 0V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装： DO-35 工作温度 - 结： 175°C（最大）温度：
	1N4154 Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35 下载数据手册二极管整流器	+15000：￥0.271461	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列：零件状态： Obsolete 二极管类型： Standard 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 35 V 电流 - 平均整流 (Io)： 100mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 30 mA 速度： Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 反向恢复时间 (trr)： 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 25 V 不同 Vr、F 时电容： 4pF 0V, 1MHz 安装类型： Through Hole 封装/外壳： DO-204AH, DO-35, Axial 供应商器件封装： DO-35 (DO-204AH) 工作温度 - 结： 175°C (Max) 温度：
	1N4154 NTE Electronics, Inc 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35 下载数据手册二极管整流器	+1：￥0.950117 +10：￥0.895825 +20：￥0.855106 +50：￥0.800813 +100：￥0.78724	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： NTE Electronics, Inc 包装： Bag 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 二极管类型： Standard 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 35 V 电流 - 平均整流 (Io)： 100mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 30 mA 速度： Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 反向恢复时间 (trr)： 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 25 V 不同 Vr、F 时电容： 4pF 0V, 1MHz 安装类型： Through Hole 封装/外壳： DO-204AH, DO-35, Axial 供应商器件封装： DO-35 工作温度 - 结： 175°C (Max) 温度：

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N4154 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 35V 200MA DO35 下载数据手册未分类	+1：￥19.075737	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 35 V 电流 - 平均整流 (Io)： 200mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 30 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 2 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 25 V 不同 Vr、F 时电容： 4pF 4V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装： DO-35 工作温度 - 结： -65°C # 150°C 温度：

1N4154参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	35 V
电流 - 平均整流 (Io):	200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1 V 30 mA
速度:	小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr):	2 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	100 nA 25 V
不同 Vr、F 时电容:	4pF 4V，1MHz
安装类型:	通孔
封装/外壳:	DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装:	DO-35
工作温度 - 结:	-65°C # 150°C
温度: