品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 75 V

电流 - 平均整流 (Io)： 150mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 50 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 50 nA 50 V

不同 Vr、F 时电容： 2pF 0V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

工作温度 - 结： 175°C（最大）

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 75 V

电流 - 平均整流 (Io)： 150mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 50 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 50 nA 50 V

不同 Vr、F 时电容： 2pF 0V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35（DO-204AH）

工作温度 - 结： 175°C（最大）

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 75 V

电流 - 平均整流 (Io)： 150mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 50 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 50 nA 50 V

不同 Vr、F 时电容： 2pF 0V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35（DO-204AH）

工作温度 - 结： 175°C（最大）

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 75 V

电流 - 平均整流 (Io)： 150mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 50 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 50 nA 50 V

不同 Vr、F 时电容： 2pF 0V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35（DO-204AH）

工作温度 - 结： 175°C（最大）

温度：

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 75 V

电流 - 平均整流 (Io)： 150mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 50 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 50 nA 50 V

不同 Vr、F 时电容： 2pF 0V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

工作温度 - 结： 175°C（最大）

温度：

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 75 V

电流 - 平均整流 (Io)： 150mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 50 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 50 nA 50 V

不同 Vr、F 时电容： 2pF 0V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

工作温度 - 结： 175°C（最大）

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 75 V

电流 - 平均整流 (Io)： 150mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 50 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 50 nA 50 V

不同 Vr、F 时电容： 2pF 0V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35（DO-204AH）

工作温度 - 结： 175°C（最大）

温度：

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 75 V

电流 - 平均整流 (Io)： 150mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 50 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 50 nA 50 V

不同 Vr、F 时电容： 2pF 0V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

工作温度 - 结： 175°C（最大）

温度：

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 75 V

电流 - 平均整流 (Io)： 150mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 50 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 50 nA 50 V

不同 Vr、F 时电容： 2pF 0V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35

工作温度 - 结： 175°C（最大）

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 75 V

电流 - 平均整流 (Io)： 150mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 50 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 50 nA 50 V

不同 Vr、F 时电容： 2pF 0V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装： DO-35（DO-204AH）

工作温度 - 结： 175°C（最大）

温度：