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1N4007RLG_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

二极管整流器

+5:

¥0.316528

+20:

¥0.289396

+100:

¥0.262263

+500:

¥0.235131

+1000:

¥0.222474

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 通孔

封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向

供应商器件封装: 轴向

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

温度:

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1N4007RLG_二极管整流器
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通用二极管 1N4007RLG DO-41

二极管整流器

+20:

¥0.631862

+100:

¥0.426404

+500:

¥0.31218

+5000:

¥0.228448

+10000:

¥0.216953

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 通孔

封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向

供应商器件封装: 轴向

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

温度:

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1N4007RLG_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

二极管整流器

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¥0.215259

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 通孔

封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向

供应商器件封装: 轴向

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

温度:

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1N4007RLG_二极管整流器
1N4007RLG
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DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

二极管整流器

+100:

¥0.399381

+500:

¥0.240671

+1000:

¥0.23222

+3000:

¥0.226084

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 通孔

封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向

供应商器件封装: 轴向

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

温度:

1N4007RLG_二极管整流器
1N4007RLG
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DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

二极管整流器

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 通孔

封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向

供应商器件封装: 轴向

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

温度:

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DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

二极管整流器

+15000:

¥0.300519

+25000:

¥0.293806

+100000:

¥0.277715

+150000:

¥0.26799

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 通孔

封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向

供应商器件封装: 轴向

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

温度:

1N4007RLG_二极管整流器
1N4007RLG
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DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

二极管整流器

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¥0.851351

+1000:

¥0.553415

+5000:

¥0.521388

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 通孔

封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向

供应商器件封装: 轴向

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

温度:

1N4007RLG_二极管整流器
1N4007RLG
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

二极管整流器

+10:

¥0.241944

+100:

¥0.237545

+500:

¥0.235345

+1000:

¥0.232104

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 通孔

封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向

供应商器件封装: 轴向

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

温度:

1N4007RLG_二极管整流器
1N4007RLG
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DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

二极管整流器

+1:

¥0.385027

+100:

¥0.275052

+500:

¥0.250047

+2500:

¥0.236271

+5000:

¥0.225042

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 通孔

封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向

供应商器件封装: 轴向

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

温度:

自营 国内现货
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DIODE GEN PURP 1000V 1A DO41

二极管整流器

+5000:

¥0.253783

+10000:

¥0.228142

+15000:

¥0.215009

+25000:

¥0.200312

+35000:

¥0.191619

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 通孔

封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向

供应商器件封装: 轴向

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

温度:

1N4007RLG参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 1000 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装: 轴向
工作温度 - 结: -65°C # 175°C
温度: