 | 1N4007RLG | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 二极管整流器 | | | 品牌: onsemi 包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装: 轴向 工作温度 - 结: -65°C # 175°C 温度: |
 | 1N4007RLG | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 二极管整流器 | | | 品牌: onsemi 包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装: 轴向 工作温度 - 结: -65°C # 175°C 温度: |
 | 1N4007RLG | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 二极管整流器 | | | 品牌: onsemi 包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装: 轴向 工作温度 - 结: -65°C # 175°C 温度: |
 | 1N4007RLG | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 二极管整流器 | | | 品牌: onsemi 包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装: 轴向 工作温度 - 结: -65°C # 175°C 温度: |
 | 1N4007RLG | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 二极管整流器 | | | 品牌: onsemi 包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装: 轴向 工作温度 - 结: -65°C # 175°C 温度: |
 | 1N4007RLG | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 二极管整流器 | | | 品牌: onsemi 包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装: 轴向 工作温度 - 结: -65°C # 175°C 温度: |