NP90N04VUG-E1-AY厂家价格_数据手册

搜索 NP90N04VUG-E1-AY 共 6 条相关记录

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NP90N04VUG-E1-AY Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta），105W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NP90N04VUG-E1-AY Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta），105W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 175°C（TJ）
NP90N04VUG-E1-AY Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252
NP90N04VUG-E1-AY Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252
NP90N04VUG-E1-AY Renesas Electronics America(瑞萨电子) 授权代理品牌	NP90N04V - Power MOSFET 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： 175°C Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4mOhm @ 45A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.2W (Ta), 105W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： TO-252 (MP-3ZP) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 7500 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NP90N04VUG-E1-AY Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta），105W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 175°C（TJ）

NP90N04VUG-E1-AY参数规格

属性	参数值
品牌:	Renesas Electronics America Inc
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4 毫欧 45A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	135 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7500 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.2W（Ta），105W（Tc）
工作温度:	175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	175°C（TJ）