品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 290mV 40mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 290 500mA，2V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 260MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 3-XDFN

供应商器件封装： 3-DFN1411（1.4x1.1）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 290mV 40mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 290 500mA，2V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 260MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 3-XDFN

供应商器件封装： 3-DFN1411（1.4x1.1）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 290mV 40mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 290 500mA，2V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 260MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 3-XDFN

供应商器件封装： 3-DFN1411（1.4x1.1）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 290mV 40mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 290 500mA，2V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 260MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 3-XDFN

供应商器件封装： 3-DFN1411（1.4x1.1）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 3-UDFN

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 290mV @ 40mA, 2A

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 290 @ 500mA, 2V

Frequency - Transition： 260MHz

Supplier Device Package： DFN1411-3

Current - Collector (Ic) (Max)： 1.5 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 20 V

Power - Max： 1 W

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 3-UDFN

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 290mV @ 40mA, 2A

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 290 @ 500mA, 2V

Frequency - Transition： 260MHz

Supplier Device Package： DFN1411-3

Current - Collector (Ic) (Max)： 1.5 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 20 V

Power - Max： 1 W

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： 3-UDFN

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 290mV @ 40mA, 2A

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 290 @ 500mA, 2V

Frequency - Transition： 260MHz

Supplier Device Package： DFN1411-3

Current - Collector (Ic) (Max)： 1.5 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 20 V

Power - Max： 1 W

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 290mV 40mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 290 500mA，2V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 260MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 3-XDFN

供应商器件封装： 3-DFN1411（1.4x1.1）

温度： -55°C # 150°C（TJ）