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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4424GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥5.88665 +100：￥3.9809 +500：￥2.92215 +1000：￥2.1175 +2000：￥2.011625	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZVN4424GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.969414 +10：￥5.074014 +30：￥4.178614 +100：￥3.432407 +500：￥2.984707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4424GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.605999 +10：￥2.906654 +30：￥2.60069 +100：￥2.229163	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	ZVN4424GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.703624	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	ZVN4424GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥2.140538 +2000：￥1.939862	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZVN4424GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥5.236322 +2000：￥4.745418	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZVN4424GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.32576 +10：￥10.795667 +100：￥8.279511 +500：￥6.545403	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223
ZVN4424GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223

Mouser

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	ZVN4424GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223 下载数据手册晶体管	+1：￥13.465356 +10：￥11.699122 +100：￥8.0967 +500：￥6.977503 +1000：￥6.960015	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	ZVN4424GTA DIODES(美台) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1000：￥2.183655 +2000：￥2.134026 +3000：￥2.084398 +5000：￥2.084398 +10000：￥1.98514	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZVN4424GTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	240 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	500mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.5 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.8V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	200 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223-3
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）