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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVNL120A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.744 +10：￥6.5824 +30：￥5.4208 +100：￥4.84 +500：￥4.4528	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 250mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 85 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVNL120A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.911963 +10：￥3.474872 +30：￥3.245399 +100：￥3.037781 +500：￥2.906654	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 250mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 85 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVNL120A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.494285 +10：￥3.939435 +100：￥3.018939 +500：￥2.386299 +1000：￥1.909018	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 250mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 85 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVNL120A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.994212 +10：￥9.636902 +100：￥7.385124 +500：￥5.83752 +1000：￥4.669962	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 250mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 85 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVNL120A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3 下载数据手册未分类	+1：￥12.066358 +10：￥10.579921 +100：￥7.519615 +500：￥6.487854 +1000：￥5.61348	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 250mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 85 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVNL120A 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 0.18A 3-Pin E-Line 下载数据手册未分类	+4000：￥3.303054 +24000：￥3.260336	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVNL120A DIODES(美台) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+4000：￥2.791327	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVNL120A DIODES(美台) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥3.356196 +150：￥3.208129 +400：￥3.109417 +1500：￥2.961349 +4000：￥2.763927	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZVNL120A参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	180mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	3V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10 欧姆 250mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	85 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	700mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-92
封装/外壳:	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）