ZXM64P03XTA厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXM64P03XTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥13.4552 +100：￥9.0992 +500：￥6.6792 +1000：￥4.84 +2000：￥4.598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 825 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MSOP 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXM64P03XTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.773961 +10：￥8.978321 +30：￥7.18256 +100：￥5.985507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 825 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MSOP 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXM64P03XTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP 下载数据手册	+1：￥7.080871 +10：￥5.933508 +30：￥5.310653 +100：￥4.600381	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 825 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MSOP 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXM64P03XTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 825 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MSOP 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZXM64P03XTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 825 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MSOP 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZXM64P03XTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width) 供应商器件封装： 8-MSOP
ZXM64P03XTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width) 供应商器件封装： 8-MSOP
ZXM64P03XTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥10.799917	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width) 供应商器件封装： 8-MSOP

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXM64P03XTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 825 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MSOP 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXM64P03XTA 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥8.379717 +2000：￥7.644405 +5000：￥7.477352 +10000：￥7.365984	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZXM64P03XTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	75 毫欧 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	46 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	825 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.1W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-MSOP
封装/外壳:	8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）