ZXMN2B14FHTA厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN2B14FHTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥6.22303 +200：￥4.20838 +800：￥3.08913 +3000：￥2.2385 +6000：￥2.126575	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55mOhm 3.5A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 872 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN2B14FHTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.647149 +10：￥0.543181 +30：￥0.492258 +100：￥0.454065 +500：￥0.415873	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55mOhm 3.5A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 872 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZXMN2B14FHTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.258908 +6000：￥3.965262 +15000：￥3.818308 +30000：￥3.720382	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55mOhm 3.5A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 872 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)
ZXMN2B14FHTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.998423 +10：￥9.686563 +100：￥7.431223 +500：￥5.874483 +1000：￥4.699508	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3
ZXMN2B14FHTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.998423 +10：￥9.686563 +100：￥7.431223 +500：￥5.874483 +1000：￥4.699508	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN2B14FHTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥12.105511 +10：￥8.905016 +100：￥6.367832 +500：￥5.32311 +1000：￥4.891954	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55mOhm 3.5A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 872 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN2B14FHTA Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥4.706503 +6000：￥4.424144 +9000：￥4.138666 +24000：￥3.998266	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZXMN2B14FHTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.5A (Ta)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V, 4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	55mOhm 3.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	872 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W (Ta)
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C (TJ)