ZVN4424A厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4424A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥13.034725 +100：￥8.81485 +1000：￥6.470475 +4000：￥4.68875 +8000：￥4.454373	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 750mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4424A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3 下载数据手册未分类	+1：￥2.8883 +10：￥2.363155 +30：￥2.132091 +100：￥1.859015 +500：￥1.73298	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 750mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4424A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.896281 +10：￥5.643562 +100：￥4.389578 +500：￥3.720449 +1000：￥3.030694	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 750mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4424A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.936776 +10：￥16.063567 +100：￥10.754941 +500：￥8.480952 +1000：￥7.749218	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 750mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4424A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3 下载数据手册未分类	+1：￥18.246592 +10：￥16.780348 +100：￥13.815277 +500：￥12.00691 +1000：￥9.481712	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 750mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4424A 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 240V 0.26A 3-Pin E-Line 下载数据手册未分类	+4000：￥5.986033 +8000：￥5.853897	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZVN4424A参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	240 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	260mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.5 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.8V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	200 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	750mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-92
封装/外壳:	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）